新米技術者の研究メモ

思いついた工学的なお題についてゆるーく考察・解説していくブログ。

半導体デバイスの命名規則を確認する

この記事は筆者が別ブログで掲載していたものをこちらに引っ越し、改訂したものです。(元ブログの記事は削除済み)

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トランジスタを含む半導体バイスの型番には命名規則があり、JEITA電子情報技術産業協会)の EDR-4102 に規定されています。学生の頃に習ったのを今頃思い出したので、忘れないように頭を整理しながらブログに投稿しておきます。笑

< JEITA公式HP EDR-4102 >

  

型番の構造は以下のようになっています。

 

1項目:数字

2項目:文字

3項目:文字

4項目:数字

5項目:文字

 

例えば、ローム社の2SC2412Kならば、以下のように分解されます。

 

1項目:2

2項目:S

3項目:C

4項目:2412

5項目:K

 

1項目の数字は、電気的な接続数 n から 1 引いた数を表しています。ダイオードなら端子は2つなので、この項は 1 となり、トランジスタやFETなら端子は3つなので、この項は 2 となります。

 

2項目の文字は大文字のSで、半導体バイスの意味です。つまり、"S"emiconductorですね。

 

3項目の文字は、その機能や構造を表しています。ダイオードの場合は1SSや1SR、トランジスタの場合は2SAとか2SCという型番をよく見かけるのではないでしょうか。

 

*代表的なもの

A:pnp型高周波トランジスタ

B:pnp型低周波トランジスタ

C:npn型高周波トランジスタ

D:npn型低周波トランジスタ

F:Pゲート制御整流素子(サイリスタ

G:Nゲート制御整流素子(サイリスタ

R:整流ダイオード

S:信号ダイオード

Z:定電圧ダイオード

  

4項目はJEITAへの登録番号です。5項目は基本的に、改良型を表していて、Aから順に変更したものを区別するときに使います。

 

…とまぁこんな感じでしょうか。他にもJEDEC型番という米国規格の部品もあるらしいので、これだけで大丈夫ってわけじゃないですけど。笑

 

実際はトランジスタでこの型番をよく見ると思うので、3項目のアルファベットでnpn/pnp、低周波/高周波用が分かれば良さそうですね。

 

今回はここまで。
 

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